关于P-MOS开关电路MOS管经常性烧坏的求助

更新时间：2018-12-06 05:16:29 138次访问

请教诸位大神个问题：如图是一个利用P-MOS组成的开关电路。B+是电池端，当开关按键按下后单片机获得供电即将IO口置1，MOS管G极获得持续低电平，实现开机。现在的问题是MOS管经常性烧坏，怀疑是哪里设计出了问题，望路过大神指点迷津，不胜感激！

你好：

1、P-MOS 场效应管 AO4409 【栅极 → 漏极】之间的耐压为 10V ，当电源电压 B+ 超过 10V 时就有可能击穿了。

2、建议你在【栅极 → 漏极】之间加装一支电阻，利用【电阻分压】来降低栅极负压，避免 P-MOS 场效应管 AO4409 击穿。

3、该电阻取值应该在 B+ 电源达到 12V 时，保证场效应管 AO4409 栅极【不超过 10V】。请看附图所示：（电阻应该大一些，应该保证 7.3V 时 AO4409 能够可靠导通）